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深圳市百佳诺电子科技有限公司
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MOS 场效应管IC *RB3030*L *RB2080* *RB3045*
封装外形:
SMD(SO)/表面封装
型号/规格:
*RB3030*L *RB2080* *RB3045*
材料:
GE-P-FET锗P沟道
用途:
MOS-INM/*组件
品牌/商标:
IR/国际整流器
沟道类型:
N沟道
种类:
*缘栅(MOSFET)
导电方式:
耗尽型
产品信息
公司业务电话:
门市业务电话:
联系人:陈先生
本司*所售产品均为原装,长期供应!
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